1. Półprzewodniki złożone III-V i II-VI Półprzewodniki złożone powstają z połączenia pierwiastków z różnych grup układu okresowego, co pozwala na precyzyjne projektowanie właściwości materiałowych, takich jak przerwa energetyczna i stała sieciowa. Półprzewodniki III-V: Są to materiały dominujące w optoelektronice, takie jak $\text{GaAs}$ (arsenek galu), $\text{InP}$ (fosforek indu) oraz $\text{GaN}$ (azotek galu), stosowane powszechnie w diodach $\text{LED}$ i laserach półprzewodnikowych. Materiały te dzielą się na binarne (np. $\text{GaAs}$ , $\text{GaP}$ ), trójskładnikowe (np. $\text{AlGaAs}$ , $\text{GaAsP}$ ) oraz czteroskładnikowe (np. $\text{AlInGaP}$ , $\text{InGaAsP}$ ). Wiele z nich posiada prostą przerwę energetyczną, co umożliwia wydajną rekombinację promienistą (emisję fotonów). Półprzewodniki II-VI: Tworzone z pierwiastków grup II i VI, jak np. $\text{CdTe}$ , charakteryzuje się specyficznymi właściwościami optycznymi w zakresie podczerwieni. Inżynieria pasmowa: Po...